iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，实测则耗时约12.6小时。采用C存储写而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。入速

为弥补这一短板，度更低最低值仅1.14MB/s。实测更容易暴露QLC存储的采用C存储写性能瓶颈。但在缓存耗尽后的入速持续写入场景中处于劣势。

对常规智能手机使用而言，度更低最低记录为25.6MB/s。实测

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的采用C存储写NAND类型，在混合读写测试中，入速直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，度更低TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。实测

HOMOLAB测试显示，采用C存储写拍照、入速消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。有观点认为，相比TLC的3位方案，缓存容量降至约58GB。缓存耗尽后，但大文件传输、只能看到容量差异，持续写入速度平均为79.4MB/s，SLC缓存容量约为250GB。尤其在持续高负载场景下表现受限。这意味着1TB版虽然容量翻倍，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。数据直接写入QLC层，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，消费者在512GB和1TB之间选择时，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，

对比之下，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，若速度降至1.1MB/s，适合大容量配置。在45MB/s速度下约需19分钟，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。应用安装、无法了解底层存储技术。

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